EQUIPMENT OVERVIEW
满足不同薄膜的沉积需求
薄膜沉积用于制备介质与功能薄膜，是器件结构构建与表面钝化的关键工艺环节之一。
- 薄膜类型
- 介质薄膜、多层膜与钝化层
- 晶圆尺寸
- 8 英寸 / 12 英寸
- 配置方向
- 科研单腔配置 / 量产自动化配置
根据薄膜类型、晶圆尺寸和产能需求选择配置，兼顾研发阶段的工艺探索与生产阶段的稳定交付。
设备图片待补充
PROCESS & DATA
工艺介绍
PECVD 在 400 ℃ 及以下沉积氧化硅、氮化硅、TEOS、BPSG、非晶硅等介质与功能薄膜，氮化硅应力可在压应力与张应力之间调节；ICP-CVD 可在 120 ℃ 以下沉积高致密薄膜，致密性接近 750 ℃ LPCVD 水平，并具备高深宽比沟槽填充能力。
工艺图谱
工艺数据
TALK TO TRUECORE
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提供材料体系、目标结构与晶圆尺寸，我们据此提供设备配置与供应方案建议。